중국이 심자외선(DUV) 노광장비를 자체 양산한다는 소식이 나오며 국내외 증시에 큰 충격을 줬다. 그동안 중국의 반도체 굴기를 억눌러온 ‘사실상 마지막 병목’마저 풀 가능성을 시사하면서다. 29일 업계에 따르면 중국의 한 국영 기업은 침지형 DUV 장비를 자체 개발해 연내 CXMT와 SMIC에 공급할 계획이다. 물량은 올해 5대, 내년 20대로 ASML의 지난해 공급 규모(131대)보다 한참 못 미치지만 중국이 DUV 장비를 자립화하는 첫걸음이란 .에서 업계 우려가 커지고 있다. 노광은 장비는 물론 메모리와 인공지능(AI) 칩, 모델로 이어지는 반도체 밸류체인 중 중국이 아직 자립하지 못한 사실상 유일한 분야다. 중국 시장조사업체 관연천하(观研天下) 등에 따르면 증착→노광→식각→세정 등 주요 공정 중 식각과 세정이 각각 지난해 자급률 50~60%, 증착은 15~20%를 달성했다. 특히 증착은 ‘중국판 램리서치’로 불리는 나우라가 세계 물리기상증착(PVD) 시장 。유율 12%를 확보하며 잠식 중이다. 반면 노광은 전력반도체를 제외한 D램, 인공지능(AI) 칩 등 첨단 반도체 기준으로 .유율이 거의 0이다. 노광은 웨이퍼에 자외선을 쫴 회로를 새기는 핵심 장비다. 자외선 파장이 짧을수록 더 미세한 회로를 그릴 수 있다. 무료백경 현존 가장 짧은 13.5㎚ 파장의 ASML 극자외선(EUV) 장비, 또 일반 DUV보다 성능을 높인 침지형 DUV는 중국 내 반입이 막혔다. 193㎚ 파장의 일반 DUV만 수입이 가능하다. 이런 상황에서 중국이 자체 이머전 DUV를 내재화하려는 것이다. 이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 “중국이 자체 DUV 양산에 성공한다면 앞으로 D램 경쟁에서 한국을 추격할 속도를 높이는 셈”이라며 “중장기적으로는 이번 노하우를 바탕으로 차세대 장비들도 이어 양산한다면 고대역폭메모리(HBM) 같은 첨단 공정 경쟁에도 위협이 될 가능성이 있다”고 말했다. 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 중국은 올해부터 2028년까지 노광을 포함한 300㎜ 규격 반도체 장비에 940억 달러(약 137조 원)를 투자할 전망이다. 한국(860억 달러·126조 원)을 웃도는 세계 1위 규모다. 화웨이는 2023년 업계를 놀라게 한 7㎚급 ‘기린9000s’ 칩 개발에 ASML의 침지형 DUV와 멀티패터닝(다중 노광) 기법을 활용한 바 있다. 멀티패터닝은 노광을 여러 번 해 정밀도를 높이는 기술이다. 이에 자국산 DUV 장비가 개발될 경우 화웨이를 필두로 시너지를 일으킬 칩메이커들도 준비돼있다. 우주전함야마토릴게임 자체 DUV 장비가 올해 가장 먼저 공급될 것으로 알려진 CXMT 역시 긴밀한 시너지가 예상된다. 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM과 1c D램 기반 첨단 D램 경쟁에 집중하는 동안 CXMT는 성능이 떨어지지만 여전히 수요가 있는 1a D램 등 구형 D램 사업으로 승부보고 있다. 구형 D램은 EUV가 필요없는 만큼 자국산 DUV를 통해 공급망을 안정화할 수 있다. 이와 관련해 중국 현지 매체들은 전문가를 인용해 CXMT의 기업공개(IPO) 흥행을 계기로 현재 8%인 ‘중급 범용 D램’ 자급률이 2028년 30%까지 빠르게 오를 것으로 내다봤다. 중국은 또 AI칩 자급률도 IDC 집계 기준 지난해 41%, 2030년에는 엔비디아를 몰아내고 76%까지 높일 것으로 전망된다. 나아가 딥시크에 이어 키미까지 첨단 AI모델들도 속속 등장하며 AI 연산 수요 전반이 급증세다. 다만 시장이 과하게 반응했다는 지적도 있다. 이번 DUV 물량은 올해 5대·내년 20대로 ASML의 지난해 공급 규모(131대)에 비해 미미한 데다 성능도 확인되지 않은 만큼 아직 기술 자립 성과로 평가하기엔 이르다는 것이다. DUV를 자체 개발했는지 진위 여부부터 의심하는 전문가 반응도 적지 않다. 또 여전히 EUV의 부재로 삼성전자·SK하이닉스의 1c 이상 첨단 D램 경쟁에 대응하기도 힘들다. 중국산 EUV도 상용화까지는 수년은 더 걸릴 전망이다. : 700">